發(fā)改委2017年1號(hào)文件劃重點(diǎn) LED政策優(yōu)勢(shì)凸顯
日期： 2017-02-10 來(lái)源：中國(guó)之光網(wǎng)
近日，國(guó)家發(fā)改委公布戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)產(chǎn)品和服務(wù)指導(dǎo)目錄（2016版），目錄涉及戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)5大領(lǐng)域8個(gè)產(chǎn)業(yè)（相關(guān)服務(wù)業(yè)單獨(dú)列出）、40個(gè)重點(diǎn)方向下的174個(gè)子方向，近4000項(xiàng)細(xì)分產(chǎn)品和服務(wù)。
其中，與LED產(chǎn)業(yè)相關(guān)內(nèi)容主要包括高端材料、關(guān)鍵設(shè)備、高效低成本LED替代光源、顯示器件等幾大方面。具體內(nèi)容如下：
（一）材料部分：包括硅材料（硅單晶、拋光片、外延片、絕緣硅、鍺硅）及化合物半導(dǎo)體材料，藍(lán)寶石和碳化硅等襯底材料，金屬有機(jī)源和超高純度氣體等外延用原料，高端LED封裝材料，新型高效熒光粉，高性能陶瓷基板等。
（二）外延芯片環(huán)節(jié)：包括發(fā)光二極管（LED）用大尺寸開(kāi)盒即用藍(lán)寶石、碳化硅等襯底、高純金屬有機(jī)化合物（MO源）、高純氨氣等開(kāi)發(fā)，生產(chǎn)型金屬有機(jī)源化學(xué)氣相沉積設(shè)備（MOCVD）、氫化物氣相外延（HVPE）等外延裝備，感應(yīng)耦合等離子體（ICP）刻蝕機(jī)等芯片、大尺寸高效低成本LED外延生長(zhǎng)、芯片制備產(chǎn)業(yè)化技術(shù)裝置。
（三）封裝環(huán)節(jié)：包括封裝關(guān)鍵設(shè)備、高效白LED新型封裝技術(shù)及配套材料開(kāi)發(fā)。
（四）照明環(huán)節(jié)：包括高效低成本筒燈、射燈、路燈、隧道燈、球泡燈等替代型半導(dǎo)體照明光源，新型LED照明應(yīng)用產(chǎn)品，有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）材料、器件、照明產(chǎn)品制備及生產(chǎn)設(shè)備，半導(dǎo)體照明檢測(cè)技術(shù)及標(biāo)準(zhǔn)體系建設(shè)，半導(dǎo)體照明檢測(cè)設(shè)備開(kāi)發(fā)及檢測(cè)平臺(tái)建設(shè)，三基色雙端直管熒光燈（T8、T5型）等高效照明產(chǎn)品。
（五）新型顯示器件主要包括新型顯示面板（器件）、新型顯示材料、新型顯示設(shè)備三大類(lèi)。
新型顯示面板（器件）。主要包括高性能非晶硅（a－Si）／低溫多晶硅（LTPS）／氧化物（Oxide）液晶顯示器（TFT－LCD）面板產(chǎn)品；新型有源有機(jī)電致發(fā)光二極管（AMOLED）面板產(chǎn)品；新型柔性顯示、激光顯示、立體顯示、量子點(diǎn)發(fā)光二極管（QLED）顯示器件產(chǎn)品等。
新型顯示材料。主要包括6代及以上玻璃基板、高性能混合液晶、驅(qū)動(dòng)IC、高純度靶材、高性能長(zhǎng)壽命有機(jī)發(fā)光材料、量子點(diǎn)材料、5．5代及以上精細(xì)金屬掩膜板、高純度化學(xué)品、柔性基板材料、高性能激光器等。
新型顯示設(shè)備。主要包括5．5代及以上等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備（PECVD）、磁控濺射設(shè)備（Sputter）、曝光機(jī)、準(zhǔn)分子激光退火設(shè)備、有機(jī)蒸鍍?cè)O(shè)備、噴墨打印設(shè)備等。
